Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A

Лаборатория «Электронная микроскопия и рентгеноструктурный анализ»

 

Создана 27 июля 2011 года,  приказ №1332-3

 

Цели и задачи:

Исследование структуры материалов методами электронной микроскопии.

  • Проведение фундаментальных и прикладных исследований в области физики конденсированного состояния.

  • Исследование тонкой структуры вещества.

  • Исследование свойств тонких пленок, получаемых напылением в вакууме.

  • Воздействие на различные материалы малых доз электромагнитного излучения.

  • Техническое обеспечение и сопровождение следующих лабораторных практикумов для студентов: «Рентгеноструктурный анализ и электронная микроскопия».

  • Техническое сопровождение и участие в проведении совместных научно-исследовательских работ штатных преподавателей, преподавателей - совместителей ТГУ и студентов-магистрантов, аспирантов кафедры теоретической и экспериментальной физики.

 

Основные направления работы:

  1. Исследование структурных особенностей кристаллических и аморфных материалов.

  2. Обеспечение необходимых условий для освоения и закрепления практических навыков студентами и магистрантами, аспирантами направлений подготовки кафедры теоретической и экспериментальной физики.

 

Перечень оборудования:

  • Электронный микроскоп ЭМВ-100Л

  • Вакуумный пост ВУП-4

  • Компьютеры, оргтехника.

 

Достижения:

  • Выявлена зависимость изменения микротвердости от дозы УФ – излучения. Наблюдаются стадии, как упрочнения, так и разупрочнения монокристаллов. Значение микротвёрдости и трещиностойкости зависит от поглощенной дозы.

  • Предложен механизм понижения стартовых напряжений дислокаций в ЩГК при воздействии малых доз рентгеновского излучения.При комплексном воздействии малых доз рентгеновского излучения и механической нагрузки происходит заметное увеличение длины пробега дислокаций, полученных в лучах дислокационных розеток при индентировании, а также увеличение длины дислокационных лучей.

  • Установлено влияние b- облучения на состояние поверхностных слоёв щелочно-галоидных кристаллов. С увеличением времени облучения увеличивается степень разрушения поверхностных слоев и увеличивается количество очагов разрушения. Дефекты в основном накапливаются только в приповерхностных слоях, о чем свидетельствует окраска тонкого приповерхностного слоя. Разрушение более выражено там, где первоначально находились дефекты поверхности.

  • Воздействие b- облучения приводит к неоднозначной зависимости изменения микротвердости. Выявлены стадии, как упрочнения, так и разупрочнения материала. Наблюдается общая тенденция хода зависимостей изменения микротвердости от времени воздействия b- облучения монокристаллов LiF при разных энергиях облучения. Микротвердость также меняется и с противоположной стороны монокристалла.Установлено влияние локального концентрированного потока b- частиц на состояние поверхностных слоёв аморфных металлических сплавов.

  • Установлены морфологические особенности макрокартин деформирования и разрушения ленточных образцов аморфных и нанокристаллических сплавов, подвергнутых воздействию ?- частиц, в зависимости от величины прикладываемой нагрузки и времени облучения.

  • Взаимодействие b - облучения с щелочно-галоидными кристаллами вызывает их стабильную люминесценцию. Люминесцентный выход зависит от типа кристаллов, имеющихся и образующихся дефектов.

 

Лаборатория поддерживает связи с организациями: ФГБОУ ВО «Тамбовский государственный технический университет», Институт нефтехимического синтеза им. Топчиева, Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, ИФТТ РАН, с рядом других вузов страны.

Положение о лаборатории «Электронная микроскопия и рентгеноструктурный анализ»

Контакты:

Руководитель лаборатории: к.ф.-м.н., доцент Чиванов Андрей Викторович

Адрес: г. Тамбов, Комсомольская пл., д. 5, ауд. 135

Телефон: 8 (4752) 72-34-34, добавочный 2018

E-mail: andrchiv@mail.ru